檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "碳化矽".ckeyword (精準) and year="110"
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上，以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體，達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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摘要 由於石墨烯的單原子層高導電性、光學透明性、高機械強度以及可彎曲性，現今其被應用於光電元件、生物成像、化學感測器、光譜學和邏輯元件等領域。得益於石墨烯的良好載子遷移率、零能隙以及線性色散的能帶關…
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一間企業所申請的專利可以忠實的表現出一間企業的技術發展，同樣的道理，觀察一個國家專利文獻的申請狀況也可以表現出一個國家的技術發展。若是重要國家，所有申請人都會想在該國申請專利，則該國家的專利文獻更可…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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近年來隨著太陽能、風力等再生能源增加，為了確保供電系統之穩定性，故透過儲能系統穩定電網已成為主要的解決方式，因此本論文旨在設計出一台雙向交錯式混合調變逆變器，使其可應用於儲能系統之需求管理模式，當電…
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本研究以AZ91合金作為基材，添加微量元素銻 ( Sb ) 和奈米粒徑之碳化矽 ( SiC ) 顆粒。透過攪拌鑄造法製成鎂基複合材料，分別 製成單一添加與混合添加之合金材料，並進行成分分析、顯微結構…
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本論文旨在研製三相功率因數修正器，主要目的是利用開關控制輸入電流，使輸出負載端趨近於純電阻式負載，使得輸入端以最有效率的方式傳遞能量到負載端，具改善電力電子系統的功率因數、提高能源利用等優點，可應用…
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